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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】CVD過(guò)程中采用等離子體的優(yōu)點(diǎn)有哪些？
答案：
1.更高的工藝溫度（250-450℃）；
2.對(duì)高的深寬比間隙有好的填充能力（用高密度等離子體）；
...
2.對(duì)高的深寬比間隙有好的填充能力（用高密度等離子體）；
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】沉積多晶硅柵材料采用什么CVD工具，列舉多晶硅作為柵電極的6個(gè)原因。
答案：
采用LPCVD工具；
1.通過(guò)摻雜可得到特定的電阻；
2.和二氧化硅優(yōu)良的界面特性；
3....
1.通過(guò)摻雜可得到特定的電阻；
2.和二氧化硅優(yōu)良的界面特性；
3....
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】解釋APCVD，使用APCVD SiO2的主要問(wèn)題是什么，是用硅烷作為反應(yīng)源嗎？
答案：
常壓化學(xué)氣相淀積；傳統(tǒng)上這些膜通常作為層間介質(zhì)（ILD），保護(hù)覆蓋物或者表面平坦化；不是使用硅烷作為反應(yīng)源。
