問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】解釋APCVD，使用APCVD SiO2的主要問(wèn)題是什么，是用硅烷作為反應(yīng)源嗎？

答案： 常壓化學(xué)氣相淀積；傳統(tǒng)上這些膜通常作為層間介質(zhì)（ILD），保護(hù)覆蓋物或者表面平坦化；不是使用硅烷作為反應(yīng)源。
題目列表

你可能感興趣的試題

問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】列出沉積的5種主要技術(shù)。
答案：

化學(xué)氣相淀積（cvd）
電鍍
物理氣相淀積（pvd或?yàn)R射）
蒸發(fā)
旋涂方法
問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】列舉并描述薄膜生長(zhǎng)的三個(gè)階段。
答案： 第一步是晶核形成：成束的穩(wěn)定小晶核形成，這一步發(fā)生在起初少量原子或分子反應(yīng)物結(jié)合起來(lái)，形成附著在硅片表面的分離的小膜層的...
微信掃碼免費(fèi)搜題