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            單項(xiàng)選擇題

            關(guān)于空間電荷,下列哪一項(xiàng)不正確?()

            A.空間電荷區(qū)的電阻率很高
            B.PN結(jié)的內(nèi)電場(chǎng)是從P區(qū)指向N區(qū)的
            C.由載流子濃度差引起的載流子運(yùn)動(dòng),稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)
            D.漂移運(yùn)動(dòng)指的是電場(chǎng)作用所引起的載流子的運(yùn)動(dòng)

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            • 單項(xiàng)選擇題

              關(guān)于N型半導(dǎo)體,下列哪項(xiàng)不正確?()

              A.N型半導(dǎo)體,自由電子數(shù)是遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于空穴數(shù)的
              B.N型半導(dǎo)體中,自由電子是多子
              C.N型半導(dǎo)體中,空穴是多子
              D.N型半導(dǎo)體中的空穴主要由熱激發(fā)形成

            • 單項(xiàng)選擇題

              關(guān)于空穴,下面哪一項(xiàng)不正確?()

              A.半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力是隨著溫度的增加而增加的
              B.空穴可以看成是一個(gè)帶正電的粒子,電量與電子相等
              C.可以用空穴移動(dòng)產(chǎn)生的電流來代替受束縛的電子移動(dòng)產(chǎn)生的電流
              D.硅的價(jià)電子比鍺的價(jià)電子越容易擺脫束縛(相同情況)

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