問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】淀積擴(kuò)散主要受哪些因素的控制？

答案： 時(shí)間和溫度。
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答案： 同型摻雜：所摻雜質(zhì)與晶圓中原有雜質(zhì)類型相同。
目的：提高限定區(qū)域中的雜質(zhì)原子的濃度。
反型摻雜：摻雜...
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【簡(jiǎn)答題】試說(shuō)明半導(dǎo)體制造中擴(kuò)散工藝的主要目的。列出并解釋實(shí)際擴(kuò)散工藝的主要步驟，并說(shuō)明個(gè)步驟的主要作用和工藝溫度。
答案： 在晶圓表面產(chǎn)生特定數(shù)量的摻雜原子；
在晶圓表面下的特定位置處形成pn結(jié)；
在晶圓表面層形成特定的摻雜...
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