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設晶格常數(shù)為a的一維晶格，導帶極小值附近能量E_c（k）和價帶極大值附近能量E_v（k）分別為：

試求：
1）禁帶寬度；
2）導帶底電子有效質量；
3）價帶頂電子有效質量；
4）價帶頂電子躍遷到導帶底時準動量的變化。

溫度為300K時本征硅的電子濃度1.5×10¹⁰cm^-3，電子和空穴遷移率分別為1350cm²/V·S和500cm²/V·S。
1）計算硅的本征電導率。
2）硅的原子密度為5.00×10²²/cm³。當摻入百萬分之一的As后，設雜質全部電離，試計算其電導率。比本征硅的電導率增大了多少倍？
3）若該樣品所加的電場強度為1.34V/cm，試求流過該樣品的電流密度是多少？