溫度為300K時(shí)本征硅的電子濃度1.5×1010cm-3,電子和空穴遷移率分別為1350cm2/V·S和500cm2/V·S。
1)計(jì)算硅的本征電導(dǎo)率。
2)硅的原子密度為5.00×1022/cm3。當(dāng)摻入百萬(wàn)分之一的As后,設(shè)雜質(zhì)全部電離,試計(jì)算其電導(dǎo)率。比本征硅的電導(dǎo)率增大了多少倍?
3)若該樣品所加的電場(chǎng)強(qiáng)度為1.34V/cm,試求流過(guò)該樣品的電流密度是多少?