采用多晶硅發(fā)射極結(jié)構(gòu),避免發(fā)射區(qū)離子注入對硅表面的損傷。
1、底硅片的選擇; 2、作n阱場區(qū)氧化; 3、作硅柵→形成源、漏區(qū); 4、成金屬互連線。