1、底硅片的選擇; 2、作n阱場(chǎng)區(qū)氧化; 3、作硅柵→形成源、漏區(qū); 4、成金屬互連線。
特征尺寸不斷縮小、芯片面積不斷增大、器件和電路結(jié)構(gòu)的不斷改進(jìn)。