<strike id="zkupb"><acronym id="zkupb"></acronym></strike><dd id="zkupb"></dd>

<blockquote id="zkupb"></blockquote>

<strike id="zkupb"></strike>

問答題

【簡答題】進一步提高MESFET性能的措施是什么？

答案：

改進有源層的導電能力

你可能感興趣的試題

【簡答題】為什么說柵長是MESFET的重要參數(shù)？

答案：

對MESFET的控制主要作用于柵極下面的區(qū)域

【簡答題】MESFET的有源層是如何形成的？它的導電溝道是如何控制的？

答案：有源層可以采用液相外延、氣相外延、分子束外延和離子注入形成。在柵極上加電壓，內(nèi)部的電勢就會被增強或減弱，從而使溝道的深度...

<dl id="sjwrz"><label id="sjwrz"></label></dl>