問答題

【簡答題】MESFET的有源層是如何形成的?它的導(dǎo)電溝道是如何控制的?

答案: 有源層可以采用液相外延、氣相外延、分子束外延和離子注入形成。在柵極上加電壓,內(nèi)部的電勢就會(huì)被增強(qiáng)或減弱,從而使溝道的深度...
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問答題

【簡答題】HBT的主要優(yōu)點(diǎn)是什么?適于何種應(yīng)用?

答案:

HBT具有很強(qiáng)的電流驅(qū)動(dòng)能力;適用于模擬信號(hào)的功率放大和門陣列邏輯的輸出緩沖電路設(shè)計(jì)。

問答題

【簡答題】Si/SiGe材料系統(tǒng)的HBT工藝取得了哪些長足進(jìn)步?

答案: 截止頻率大于100GHz的SiGeHBT已成功實(shí)現(xiàn);已經(jīng)開發(fā)出包含fmax=60GHz的SiGeHBT和0.25μm的C...
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