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問答題
【簡答題】MESFET的有源層是如何形成的？它的導(dǎo)電溝道是如何控制的？
答案：
有源層可以采用液相外延、氣相外延、分子束外延和離子注入形成。在柵極上加電壓，內(nèi)部的電勢就會(huì)被增強(qiáng)或減弱，從而使溝道的深度...
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問答題
【簡答題】HBT的主要優(yōu)點(diǎn)是什么？適于何種應(yīng)用？
答案：
HBT具有很強(qiáng)的電流驅(qū)動(dòng)能力；適用于模擬信號(hào)的功率放大和門陣列邏輯的輸出緩沖電路設(shè)計(jì)。
問答題
【簡答題】Si/SiGe材料系統(tǒng)的HBT工藝取得了哪些長足進(jìn)步？
答案：
截止頻率大于100GHz的SiGeHBT已成功實(shí)現(xiàn)；已經(jīng)開發(fā)出包含fmax=60GHz的SiGeHBT和0.25μm的C...
