本征吸收:半導(dǎo)體吸收光子能量大于帶隙的光子,使電子直接躍遷到導(dǎo)帶。 又本征吸收產(chǎn)生的非平衡載流子的增加使半導(dǎo)體電導(dǎo)率增加。
耿氏振蕩來(lái)源于半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)微分電導(dǎo),振蕩頻率決定于外加電壓和器件的長(zhǎng)度。
多能谷之間有效質(zhì)量不同導(dǎo)致遷移率不同,當(dāng)電子從一能谷躍遷到另一能谷時(shí),遷移率會(huì)減低,導(dǎo)致導(dǎo)電性降低。