當(dāng)晶體管柵偏置電壓低于閾值反型點時,MOSFET中的導(dǎo)電過程。
寄生雙極晶體管中電流增益的改變而引起的MOSFET擊穿過程中出現(xiàn)的負(fù)阻效應(yīng)。
由于漏-源電壓引起的源極和襯底之間的勢壘高度降低,從而導(dǎo)致漏電流的迅速增大。