寄生雙極晶體管中電流增益的改變而引起的MOSFET擊穿過程中出現(xiàn)的負(fù)阻效應(yīng)。
由于漏-源電壓引起的源極和襯底之間的勢(shì)壘高度降低,從而導(dǎo)致漏電流的迅速增大。
溝道寬度變窄后閾值電壓的偏移。