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問答題
【簡答題】試說明熱氧化法的兩種基本方法及每種方法的生長機理（或過程），并比較兩種方法的主要異同點。
答案：
干氧氧化：氧化開始時，是氧分子與硅片表面的硅原子進行化學反應(yīng)，形成初始氧化層，其反應(yīng)方程式為：Si+O2
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問答題
【簡答題】什么是氧化硅中網(wǎng)絡(luò)形成者和網(wǎng)絡(luò)改變者？并舉二例說明它們對氧化層結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的影響。
答案：
網(wǎng)絡(luò)形成者：是網(wǎng)絡(luò)的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)發(fā)生變化；結(jié)構(gòu)上，改變氧化層中有氧橋和無氧橋的比例；性質(zhì)上，改變其密度硬度流動性熔點及擴散...
