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問(wèn)答題

【計(jì)算題】本征硅在室溫時(shí)電子和空穴遷移分別為1350cm²/V.s和500cm²/V.s，當(dāng)摻入百萬(wàn)分之一的A_s后，設(shè)雜質(zhì)全部電離，試計(jì)算其電導(dǎo)率比本征硅的電導(dǎo)率增大了多少倍？

答案：

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問(wèn)答題

【計(jì)算題】300K時(shí)，鍺的本征電阻率為47Ω.cm，如電子空求本征鍺的載流子濃度分別為3900cm²/V.s和1900cm²/V.s，求本征鍺的載流子濃度。

答案：

問(wèn)答題

【計(jì)算題】設(shè)硅中施主雜質(zhì)電離能ΔE_D=0.04eV，施主雜質(zhì)濃度N_D=10¹⁶/cm³，以施主雜質(zhì)電離90%作為達(dá)到強(qiáng)電離的最低標(biāo)準(zhǔn)，試計(jì)算保持飽和雜質(zhì)電離的溫度范圍。

答案：

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