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問答題

【計算題】設(shè)硅中施主雜質(zhì)電離能ΔE_D=0.04eV，施主雜質(zhì)濃度N_D=10¹⁶/cm³，以施主雜質(zhì)電離90%作為達(dá)到強(qiáng)電離的最低標(biāo)準(zhǔn)，試計算保持飽和雜質(zhì)電離的溫度范圍。

答案：

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【計算題】設(shè)鍺中施主雜質(zhì)的電離能ΔE_D=0.01eV，在室溫下導(dǎo)帶底有效狀態(tài)密度N_c=1.04×10¹⁹/cm³，若以施主雜質(zhì)電離90%作為電離的標(biāo)準(zhǔn)，試計算在室溫（T=300K）時保持雜質(zhì)飽和電離的施主雜質(zhì)濃度范圍。

答案：

【計算題】一硅半導(dǎo)體含有施主雜質(zhì)濃度N_D=9×10¹⁵/cm³，和受主雜質(zhì)濃度N_A=1.1×10¹⁶/cm³，求在T=300K時（n_i=1.3×10¹⁰/cm³）的電子空穴濃度以及費(fèi)米載流了濃度。

答案：

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