A.最高冷卻 B.最低冷卻 C.理想冷卻 D.臨界冷卻
A.晶粒邊界雜質(zhì)濃度增高 B.晶粒邊界雜質(zhì)濃度降低 C.晶粒內(nèi)部雜質(zhì)濃度增高 D.晶粒內(nèi)部雜質(zhì)濃度降低
A.小于2倍孔徑 B.小于4倍孔徑 C.小于6倍孔徑