A.生長的二氧化硅薄膜均勻性好 B.生長的二氧化硅干燥 C.生長的二氧化硅結(jié)構(gòu)致密 D.生長的二氧化硅是很理想的鈍化膜 E.生長的二氧化硅掩蔽能力強
A.生長出的二氧化硅中引入很多可動離子 B.氧化的速度慢 C.生長的二氧化硅缺陷多 D.生長的二氧化硅薄膜鈍化效果差
A.稍高于 B.大大于 C.等于 D.沒有要求
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