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【論述題】根據(jù)曝光方式的不同，光學(xué)光刻機(jī)可以分成幾類？各有什么優(yōu)缺點(diǎn)？

答案：根據(jù)曝光方式不同光學(xué)光刻機(jī)主要分為三種：接觸式，接近式，投影式。接觸式：接觸式光刻機(jī)是最簡(jiǎn)單的光刻機(jī)，曝光時(shí)，掩模壓在涂...

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問答題
【論述題】在干法刻蝕的終點(diǎn)檢測(cè)方法中，光學(xué)放射頻譜分析法最常見，簡(jiǎn)述其工作原理和優(yōu)缺點(diǎn)。
答案：光學(xué)放射頻譜分析是利用檢測(cè)等離子體中某種波長(zhǎng)的光線強(qiáng)度變化來達(dá)到終點(diǎn)檢測(cè)的目的。光強(qiáng)的變化反映了等離子體中原子或分子濃度...
問答題
【論述題】
采用CF₄作為氣體源對(duì)SiO₂進(jìn)行刻蝕，在進(jìn)氣中分別加入O₂或H₂對(duì)刻蝕速率有什么影響？隨著O₂或H₂進(jìn)氣量的增加，對(duì)Si和SiO₂刻蝕選擇性怎樣變化？為什么？

答案：加入少量的氧氣能夠提高Si和SiO₂的刻蝕速率。加入少量的氫氣可以導(dǎo)致Si和SiO₂