問答題

【簡答題】請說明在形成晶體管的有源區(qū)摻雜過程中需要進行哪些保護？分別用什么材料作為保護層？

答案：第一次：有源區(qū)的輕摻雜漏注入（LDD）時，用光刻膠保護不需注入的其他區(qū)域；
第二次：在對有源區(qū)進行更大劑量的注...

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【簡答題】列出簡化的雙阱CMOS工藝流程中的主要步驟，并說明該流程的兩個主要特點。

答案：步驟：
阱區(qū)離子注入；
定義有源區(qū)刻蝕及在絕緣溝槽中填充氧化物；
淀積及形成多晶硅層圖形；...

【簡答題】試說明雙阱CMOS工藝中用到的主要光刻掩膜版及其作用。

答案：

N阱，P阱，多晶硅柵，N+源漏，P+源漏，接觸孔，通孔，金屬互聯(lián)及鈍化孔。