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問答題

【計算題】室溫下本征鍺的電阻率為47Ω˙cm，求本征載流子濃度。若摻入銻雜質(zhì)，使每10⁶個鍺原子中有一個雜質(zhì)原子，計算室溫下電子濃度和空穴嘗試，設(shè)雜質(zhì)全部電離，鍺原子的濃度為4.4×10²²/cm³，求該摻雜鍺材料的電阻率，μ_n=3600cm²/v˙s，μ_p=1700cm²/v˙s，n_i=2.5×10¹³/cm³。

答案：

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【計算題】
現(xiàn)有三個半導(dǎo)體硅樣品，已知室溫下（300K）它們的空穴濃度分別為p₀₁=2.25×10¹⁵/cm³，p₀₂=1.5×10¹⁰/cm³，p₀₃=2.25×10⁴/cm³
（1）分別計算這三個樣品的電子濃度
（2）判別這三個樣品的導(dǎo)電類型
（3）計算這三個樣品的費米能級的位置

答案：
對這三塊材料分別計算如下：

即P型半導(dǎo)體的費米能級在禁帶中線下0.37eV處

【計算題】有一半導(dǎo)體硅樣品，施主濃度為N_D=2×10¹⁴/cm³，受主濃度為N_A=1×10¹⁴/cm³，已知施主電離能為ΔE₀=0.05eV，試求：99%的施主雜質(zhì)電離時的溫度。

答案：

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