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一塊有雜質(zhì)補償?shù)墓璨牧希阎獡饺胧苤髅芏萅_A=1×10¹⁵cm²，室溫下測其費米能級，恰好與施主能級重合，并得知平衡電子密度為n₀=5×10¹⁵cm³，已知室溫下硅的本征載流子密度為n=1.5×10¹⁵cm³，試求：
（1）平衡少子的密度 
（2）材料中施主雜質(zhì)的密度
（3）電離雜質(zhì)和中性雜質(zhì)的密度

兩塊n型硅材料，在溫度T時，第一塊與第二塊的電子密度之比為n₁/n₂=e。
（1）如果第一塊材料的費米能級在導(dǎo)帶之下3k₀T，求第二塊材料的費米能級的位置。
（2）兩塊材料中空穴密度之比。