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單項(xiàng)選擇題
對(duì)于一定的n型半導(dǎo)體材料,溫度一定時(shí),減少摻雜濃度,將導(dǎo)致()靠近Ei
A. Ec
B. Ev
C. Eg
D. E<sub>F</sub>
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單項(xiàng)選擇題
在Si材料中摻入P,則引入的雜質(zhì)能級(jí)()。
A. 在禁帶中線處
B. 靠近導(dǎo)帶底
C. 靠近價(jià)帶頂
D. 以上都不是
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填空題
在熱力學(xué)溫度零度時(shí),能量比F
F
小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為(),當(dāng)溫度大于熱力學(xué)溫度零度時(shí),能量比E
F
小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為()。
答案:
等于0;大于1/2
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