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在Si材料中摻入P,則引入的雜質(zhì)能級(jí)()。
A. 在禁帶中線處
B. 靠近導(dǎo)帶底
C. 靠近價(jià)帶頂
D. 以上都不是
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填空題
在熱力學(xué)溫度零度時(shí),能量比F
F
小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為(),當(dāng)溫度大于熱力學(xué)溫度零度時(shí),能量比E
F
小的量子態(tài)被電子占據(jù)的概率為()。
答案:
等于0;大于1/2
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填空題
將Si摻雜入GaAs中,若Si取代Ga則起()雜質(zhì)作用,若Si取代As則起()雜質(zhì)作用。
答案:
施主;受主
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