問(wèn)答題

【計(jì)算題】假設(shè)Si中空穴濃度是線(xiàn)性分布，在4μm內(nèi)的濃度差為2×10¹⁶cm^-3，試計(jì)算空穴的擴(kuò)散電流密度。

答案：

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證明非簡(jiǎn)并的非均勻半導(dǎo)體中的電子電流形式為

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問(wèn)答題

【計(jì)算題】光均勻照射在6Ω·cm的n型Si樣品上，電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生率為4×10²¹cm^-3s^-1，樣品壽命為8μs。試計(jì)算光照前后樣品的電導(dǎo)率。

答案：

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