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問(wèn)答題
【計(jì)算題】光均勻照射在6Ω·cm的n型Si樣品上，電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生率為4×1021cm-3s-1，樣品壽命為8μs。試計(jì)算光照前后樣品的電導(dǎo)率。
答案：
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】間接復(fù)合效應(yīng)與陷阱效應(yīng)有何異同？
答案：
間接復(fù)合效應(yīng)是指非平衡載流子通過(guò)位于禁帶中特別是位于禁帶中央的雜質(zhì)或缺陷能級(jí)Et而逐漸消失的效應(yīng)，Et的存在可能大大促進(jìn)...
