<td id="ah7qj"><input id="ah7qj"></input></td>

<small id="ah7qj"></small>

<i id="ah7qj"></i>

問(wèn)答題

【案例分析題】
一維晶體的電子能帶可寫為，式中a為晶格常數(shù)，試求
布里淵區(qū)邊界

答案：

你可能感興趣的試題

問(wèn)答題

【計(jì)算題】分別計(jì)算Si（100），（110），（111）面每平方厘米內(nèi)的原子個(gè)數(shù)，即原子面密度（提示：先畫出各晶面內(nèi)原子的位置和分布圖）

答案：

Si在（100），（110）和（111）面上的原子分布如圖所示：

問(wèn)答題

【計(jì)算題】晶格常數(shù)為0.25nm的一維晶格，當(dāng)外加10²V/m，10⁷V/m的電場(chǎng)時(shí)，試分別計(jì)算電子自能帶底運(yùn)動(dòng)到能帶頂所需的時(shí)間。

答案：

^{<small id="pqwjm"></small>}