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【計(jì)算題】分別計(jì)算Si(100),(110),(111)面每平方厘米內(nèi)的原子個(gè)數(shù),即原子面密度(提示:先畫出各晶面內(nèi)原子的位置和分布圖)
答案:
Si在(100),(110)和(111)面上的原子分布如圖所示:
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問答題
【計(jì)算題】晶格常數(shù)為0.25nm的一維晶格,當(dāng)外加10
2
V/m,10
7
V/m的電場(chǎng)時(shí),試分別計(jì)算電子自能帶底運(yùn)動(dòng)到能帶頂所需的時(shí)間。
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【案例分析題】
設(shè)晶格常數(shù)為a的一維晶格,導(dǎo)帶極小值附近能量E
c
(k)和價(jià)帶極大值附近能量E
V
(k)分別為:
價(jià)帶頂電子躍遷到導(dǎo)帶底時(shí)準(zhǔn)動(dòng)量的變化
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