填空題

常規(guī)平面工藝擴(kuò)散工序中的恒定表面源擴(kuò)散過程中，雜質(zhì)在體內(nèi)滿足（）函數(shù)分布。常規(guī)平面工藝擴(kuò)散工序中的有限表面源擴(kuò)散過程中，雜質(zhì)在體內(nèi)滿足（）函數(shù)分布。

答案：余誤差；高斯分布

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制備SiO₂的方法有（）、（）、（）、（）、（）等。

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