A.大,因為磁的各向異性效應,使乙烯質(zhì)子處在屏蔽區(qū),乙炔質(zhì)子處在去屏蔽區(qū) B.大,因為磁的各向異性效應,使乙烯質(zhì)子處在去屏蔽區(qū),乙炔質(zhì)子處在屏蔽區(qū) C.小,因為磁的各向異性效應,使乙烯質(zhì)子處在去屏蔽區(qū),乙炔質(zhì)子處在屏蔽區(qū) D.小,因為磁的各向異性效應,使乙烯質(zhì)子處在屏蔽區(qū),乙炔質(zhì)子處在去屏蔽區(qū)
A.掃場下的高場和掃頻下的高頻,較小的化學位移值(δ) B.掃場下的高場和掃頻下的低頻,較小的化學位移值(δ) C.掃場下的低場和掃頻下的高頻,較大的化學位移值(δ) D.掃場下的低場和掃頻下的低頻,較大的化學位移值(δ)
A.屏蔽效應增強,化學位移值大,峰在高場出現(xiàn) B.屏蔽效應減弱,化學位移值大,峰在高場出現(xiàn) C.屏蔽效應增強,化學位移值小,峰在高場出現(xiàn) D.屏蔽效應增強,化學位移值大,峰在低場出現(xiàn)