A.掃場(chǎng)下的高場(chǎng)和掃頻下的高頻,較小的化學(xué)位移值(δ) B.掃場(chǎng)下的高場(chǎng)和掃頻下的低頻,較小的化學(xué)位移值(δ) C.掃場(chǎng)下的低場(chǎng)和掃頻下的高頻,較大的化學(xué)位移值(δ) D.掃場(chǎng)下的低場(chǎng)和掃頻下的低頻,較大的化學(xué)位移值(δ)
A.屏蔽效應(yīng)增強(qiáng),化學(xué)位移值大,峰在高場(chǎng)出現(xiàn) B.屏蔽效應(yīng)減弱,化學(xué)位移值大,峰在高場(chǎng)出現(xiàn) C.屏蔽效應(yīng)增強(qiáng),化學(xué)位移值小,峰在高場(chǎng)出現(xiàn) D.屏蔽效應(yīng)增強(qiáng),化學(xué)位移值大,峰在低場(chǎng)出現(xiàn)
A.不同質(zhì)子種類數(shù) B.同類質(zhì)子個(gè)數(shù) C.化合物中雙鍵的個(gè)數(shù)與位置 D.相鄰碳原子上質(zhì)子的個(gè)數(shù)