問答題

【簡答題】列舉兩種集成電路制造中的器件隔離結(jié)構(gòu)，并比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

答案： 兩種最常用的隔離結(jié)構(gòu)：局部氧化隔離法隔離（LOCOS）和淺溝槽隔離（STI）。
局部氧化隔離法會產(chǎn)生&ldqu...
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【簡答題】IC制造中常采用什么方法形成金屬層？它的作用是什么？
答案： 金屬層的形成主要采用物理汽相沉積（Pysical Vapor Deposition，簡稱PVD）技術(shù)...
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【簡答題】摻雜的目的是什么？舉出兩種摻雜方法并比較其優(yōu)缺點(diǎn)。
答案： 摻雜的目的是形成特定導(dǎo)電能力的材料區(qū)域，包括N型或P型半導(dǎo)體區(qū)域和絕緣層，以構(gòu)成各種器件結(jié)構(gòu)。
摻雜的方法有：...
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