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集成電路技術(shù)綜合練習(xí)問答題每日一練(2019.01.25)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題進(jìn)一步提高M(jìn)ESFET性能的措施是什么？

參考答案：

改進(jìn)有源層的導(dǎo)電能力

2.問答題MOS晶體管的短溝道效應(yīng)是指什么，其對(duì)晶體管有什么影響？

參考答案：短溝道效應(yīng)是指：當(dāng)MOS晶體管的溝道長度變短到可以與源漏的耗盡層寬度相比擬時(shí)，發(fā)生短溝道效應(yīng)，柵下耗盡區(qū)電荷不再完全受柵...

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3.問答題何為分辨率、對(duì)比度、IC制造對(duì)光刻技術(shù)有何要求？

參考答案：分辨率：是指一個(gè)光學(xué)系統(tǒng)精確區(qū)分目標(biāo)的能力
對(duì)比度：是評(píng)價(jià)成像圖形質(zhì)量的重要指標(biāo)
要求：分辨率越來越...

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4.問答題異質(zhì)結(jié)有什么特點(diǎn)？它適宜于制作哪些器件？

參考答案：

量子效應(yīng)，遷移率變大、奇異的二度空間特性、人造材料工程學(xué)
發(fā)光組件、鐳射二極管、異質(zhì)結(jié)構(gòu)雙極晶體管、高速電子遷移率晶體管

5.問答題解決數(shù)模信號(hào)之間串?dāng)_的措施有哪些？

參考答案：1.可以將模擬和數(shù)字電源地分離
2.可以將模擬電路和數(shù)字電路、模擬總線和數(shù)字總線應(yīng)盡量分開而不交叉混合

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