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每日一練
章節(jié)練習
集成電路技術綜合練習問答題每日一練(2019.01.25)
來源：考試資料網(wǎng)
1.問答題
進一步提高MESFET性能的措施是什么？
參考答案：
改進有源層的導電能力
2.問答題
MOS晶體管的短溝道效應是指什么，其對晶體管有什么影響？
參考答案：
短溝道效應是指：當MOS晶體管的溝道長度變短到可以與源漏的耗盡層寬度相比擬時，發(fā)生短溝道效應，柵下耗盡區(qū)電荷不再完全受柵...
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3.問答題
何為分辨率、對比度、IC制造對光刻技術有何要求？
參考答案：
分辨率：是指一個光學系統(tǒng)精確區(qū)分目標的能力
對比度：是評價成像圖形質(zhì)量的重要指標
要求：分辨率越來越...
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4.問答題
異質(zhì)結有什么特點？它適宜于制作哪些器件？
參考答案：
量子效應，遷移率變大、奇異的二度空間特性、人造材料工程學
發(fā)光組件、鐳射二極管、異質(zhì)結構雙極晶體管、高速電子遷移率晶體管
5.問答題
解決數(shù)模信號之間串擾的措施有哪些？
參考答案：
1.可以將模擬和數(shù)字電源地分離
2.可以將模擬電路和數(shù)字電路、模擬總線和數(shù)字總線應盡量分開而不交叉混合
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