1、底硅片的選擇； 2、作n阱場區(qū)氧化； 3、作硅柵→形成源、漏區(qū)； 4、成金屬互連線。
制作異質結雙極性晶體管HBT、高電子遷移率晶體管HEMT、高性能的LED及LD。
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