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微電子學(xué)章節(jié)練習(xí)(2019.12.11)

問(wèn)答題
簡(jiǎn)單敘述微電子學(xué)對(duì)人類(lèi)社會(huì)的作用？
答案：可以毫不夸張地說(shuō)，沒(méi)有微電子技術(shù)的進(jìn)步，就不可能有今天信息技術(shù)的蓬勃發(fā)展，微電子已經(jīng)成為整個(gè)信息社會(huì)發(fā)展的基石。隨著微電...
問(wèn)答題
說(shuō)明工藝及產(chǎn)品趨勢(shì)
答案：
判斷題
當(dāng)對(duì)PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，中性區(qū)與耗盡區(qū)邊界上的少子濃度比該處的平衡少子濃度大；當(dāng)對(duì)PN結(jié)外加反向電壓時(shí)，中性區(qū)與耗盡區(qū)邊界上的少子濃度比該處的平衡少子濃度小。
答案：正確
填空題
當(dāng)集電結(jié)反偏增加時(shí)，集電結(jié)耗盡區(qū)寬度會(huì)（），使基區(qū)寬度（），從而使集電極電流（），這就是基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)（）。
答案：變寬；變窄；增大；即厄爾利效應(yīng)
問(wèn)答題
列出提高微芯片制造技術(shù)相關(guān)的三個(gè)重要趨勢(shì)，簡(jiǎn)要描述每個(gè)趨勢(shì)。
答案：提高芯片性能：器件做得越小，在芯片上放置得越緊密，芯片的速度就會(huì)提高。
提高芯片可靠性：芯片可靠性致力于趨于芯...
問(wèn)答題
生長(zhǎng)氧化層和淀積氧化層間的區(qū)別是什么？
答案：在升溫環(huán)境里，通過(guò)外部供給高純氧氣使之與硅襯底反應(yīng)，可以在硅片上得到一層熱生長(zhǎng)的氧化層；沉積的氧化層可以通過(guò)外部供給氧氣...
問(wèn)答題
列舉離子注入設(shè)備的5個(gè)主要子系統(tǒng)。
答案：
1.離子源
2.引出電極和離子分析器
3.加速管
4.掃描系統(tǒng)
5.工藝室
填空題
為了降低臺(tái)階高度對(duì)金屬互連線(xiàn)的影響，在沉積金屬層前必須對(duì)圓片平坦化。平坦化的方法主要有（）和（）。沉積的回流介質(zhì)主要有：（）
答案：回流；化學(xué)機(jī)械拋光；硼硅玻璃（BSG）、磷硅玻璃（PSG）和硼磷硅玻璃（BPSG）
問(wèn)答題
解釋PN節(jié)的單向?qū)щ娦裕?/h4>
答案：載流子漂移（電流）和擴(kuò)散（電流）過(guò)程保持平衡（相等），形成自建場(chǎng)和自建勢(shì)在PN結(jié)上外加一電壓，如果P型一邊接正極，N型一...
問(wèn)答題
簡(jiǎn)述濕法腐蝕相比干法刻蝕的優(yōu)點(diǎn)
答案：
（1）對(duì)材料具有高的選擇比
（2）不會(huì)對(duì)器件帶來(lái)等離子體損傷
（3）設(shè)備簡(jiǎn)單

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微電子學(xué)章節(jié)練習(xí)(2019.12.11)

簡(jiǎn)單敘述微電子學(xué)對(duì)人類(lèi)社會(huì)的作用？

說(shuō)明工藝及產(chǎn)品趨勢(shì)

當(dāng)集電結(jié)反偏增加時(shí)，集電結(jié)耗盡區(qū)寬度會(huì)（），使基區(qū)寬度（），從而使集電極電流（），這就是基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)（）。

列出提高微芯片制造技術(shù)相關(guān)的三個(gè)重要趨勢(shì)，簡(jiǎn)要描述每個(gè)趨勢(shì)。

生長(zhǎng)氧化層和淀積氧化層間的區(qū)別是什么？

列舉離子注入設(shè)備的5個(gè)主要子系統(tǒng)。

為了降低臺(tái)階高度對(duì)金屬互連線(xiàn)的影響，在沉積金屬層前必須對(duì)圓片平坦化。平坦化的方法主要有（）和（）。沉積的回流介質(zhì)主要有：（）

解釋PN節(jié)的單向?qū)щ娦裕?/h4>

簡(jiǎn)述濕法腐蝕相比干法刻蝕的優(yōu)點(diǎn)

微電子學(xué)章節(jié)練習(xí)(2019.12.11)

簡(jiǎn)單敘述微電子學(xué)對(duì)人類(lèi)社會(huì)的作用？

說(shuō)明工藝及產(chǎn)品趨勢(shì)

當(dāng)集電結(jié)反偏增加時(shí)，集電結(jié)耗盡區(qū)寬度會(huì)（），使基區(qū)寬度（），從而使集電極電流（），這就是基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)（）。

列出提高微芯片制造技術(shù)相關(guān)的三個(gè)重要趨勢(shì)，簡(jiǎn)要描述每個(gè)趨勢(shì)。

生長(zhǎng)氧化層和淀積氧化層間的區(qū)別是什么？

列舉離子注入設(shè)備的5個(gè)主要子系統(tǒng)。

為了降低臺(tái)階高度對(duì)金屬互連線(xiàn)的影響，在沉積金屬層前必須對(duì)圓片平坦化。平坦化的方法主要有（）和（）。沉積的回流介質(zhì)主要有：（）

解釋PN節(jié)的單向?qū)щ娦裕?/h4>

簡(jiǎn)述濕法腐蝕相比干法刻蝕的優(yōu)點(diǎn)

簡(jiǎn)單敘述微電子學(xué)對(duì)人類(lèi)社會(huì)的作用？

當(dāng)集電結(jié)反偏增加時(shí)，集電結(jié)耗盡區(qū)寬度會(huì)（），使基區(qū)寬度（），從而使集電極電流（），這就是基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)（）。

列出提高微芯片制造技術(shù)相關(guān)的三個(gè)重要趨勢(shì)，簡(jiǎn)要描述每個(gè)趨勢(shì)。

生長(zhǎng)氧化層和淀積氧化層間的區(qū)別是什么？

列舉離子注入設(shè)備的5個(gè)主要子系統(tǒng)。

為了降低臺(tái)階高度對(duì)金屬互連線(xiàn)的影響，在沉積金屬層前必須對(duì)圓片平坦化。平坦化的方法主要有（）和（）。沉積的回流介質(zhì)主要有：（）