集成電路技術(shù)綜合練習(xí)章節(jié)練習(xí)(2018.02.23)
來(lái)源：考試資料網(wǎng)1.問(wèn)答題雙極性集成電路中最常用的電阻器和MOS集成電路中常用的電阻都有哪些？
參考答案：
雙極性集成電路中最常用的電阻器是基區(qū)擴(kuò)散電阻；MOS集成電路中常用的電阻有多晶硅電阻和用MOS管形成的電阻。
參考答案：晶體管開(kāi)通后，其漏源電流隨著漏源電壓而變化。當(dāng)漏源電壓很小時(shí)，隨著漏源電壓的值的增大，溝道內(nèi)電場(chǎng)強(qiáng)度增加，電流隨之增大，...
3.問(wèn)答題為什么基區(qū)薄層電阻需要修正？
參考答案：基區(qū)薄層電阻擴(kuò)散完成后，還有多道高溫處理工序，所以雜質(zhì)會(huì)進(jìn)一步往里邊推，同時(shí)表面的硅會(huì)進(jìn)一步氧化。形成管子后，實(shí)際電阻比...
4.問(wèn)答題MOS電容的大小取決于哪些參數(shù)？
參考答案：
MOS電容大小取決于面積、氧化層的厚度、氧化層的介電常數(shù)
5.問(wèn)答題舉例說(shuō)明什么是有比反相器和無(wú)比反相器。
參考答案：有比反相器在輸出低電平時(shí)，驅(qū)動(dòng)管和負(fù)載管同時(shí)導(dǎo)通，其輸出低電平由驅(qū)動(dòng)管導(dǎo)通電阻和負(fù)載管導(dǎo)通電阻的分壓決定。為保持足夠低的...
6.問(wèn)答題提高電感品質(zhì)因數(shù)的措施有哪些？
參考答案：使用鍍銀銅線減小高頻電阻；用多股的絕緣線代替具有同樣總截面的單股線減小肌膚效應(yīng)；使用介質(zhì)損耗小的高頻陶瓷為骨架減小介質(zhì)損...
7.問(wèn)答題什么是特征尺寸？它對(duì)集成電路工藝有何影響？
參考答案：集成電路中半導(dǎo)體器件的最小尺寸如MOSFET的最小溝道長(zhǎng)度。是衡量集成電路加工和設(shè)計(jì)水平的重要標(biāo)志。它的減小使得芯片集成...
8.問(wèn)答題摩爾是哪個(gè)公司的創(chuàng)始人？什么是摩爾定律？
參考答案：
英特爾芯片上晶體管數(shù)每隔18個(gè)月增加一倍
9.問(wèn)答題通過(guò)濾波電容進(jìn)行抗干擾，濾波電容一般加在哪些地方？
參考答案：
電源線上和版圖空余地方
參考答案：動(dòng)態(tài)組合邏輯電路中存在的常見(jiàn)的三種問(wèn)題是電荷泄漏，電荷分配和時(shí)鐘饋通。
電荷泄漏產(chǎn)生的原因是與輸出相連的MOS...
電荷泄漏產(chǎn)生的原因是與輸出相連的MOS...
