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填空題
HI比HCl的熔沸點(diǎn)高是由于（），HF比HCl的熔沸點(diǎn)高是由于（）；I2在CCl4中的溶解度比在水中的溶解度大是由于（），而KCl在水中的溶解度比AgCl大是由于（）
答案：
分子間作用力；氫鍵；相似相溶；離子極化
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填空題
[Co（H2O）4Cl2]Cl配合物的中文命名為（），中心離子為（），配位體為（），配位原子為（），配位數(shù)為（），配離子的電荷為（）
答案：
氯化二氯四水含鈷（Ⅲ）；Co3+；H2O、Cl-；0、Cl；6；-1
填空題
第31號(hào)元素鎵（Ga）是當(dāng)年預(yù)言過的類鋁，現(xiàn)在是重要的半導(dǎo)體材料之一。Ga的核外電子排布式為（）；價(jià)電子層為（）；它屬周期表中的第（）周期，（）族，處于（）區(qū)。
答案：
1S22S22P63S23P63d104S24P1；4S4P；四；ⅢA；P
