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【計(jì)算題】在MgO晶體中,肖基特缺陷的生成能為6eV,計(jì)算在25℃和1600℃時(shí)的熱缺陷濃度。
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【計(jì)算題】假定把一個(gè)Na原子從鈉的晶體的內(nèi)部移動(dòng)到邊界上需要的能量是1eV,計(jì)算室溫時(shí)(300K)的肖基特方位濃度。
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【計(jì)算題】
計(jì)算配位數(shù)為3時(shí)
的下限
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