A.3個(gè) B.4個(gè) C.5個(gè) D.6個(gè)
A.500G B.160G C.280G D.1T
A.采用單晶體材料 B.復(fù)合壓電晶體,更好的聲頻譜和更低的聲阻抗 C.結(jié)合3T技術(shù),提升聲能量轉(zhuǎn)換、降低陣元間干擾、溫度控制性能 D.有更高的細(xì)節(jié)、對(duì)比分辨率及更好的全場均勻性