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A.PN 結(jié)加的正向電壓夠大時，多子的擴散比少子的漂移占優(yōu)勢
B.PN 結(jié)加反向電壓時，少子的漂移比多子的擴散占優(yōu)勢
C.PN 結(jié)不外加電壓時，少子的漂移與多子的擴散達到動態(tài)平衡
D.要給PN 結(jié)加正向電壓，P 區(qū)一側(cè)應(yīng)接低電位，N 區(qū)一側(cè)應(yīng)接高電位

A.半導(dǎo)體的電阻介于導(dǎo)體與絕緣體之間
B.半導(dǎo)體可以制作成非常純凈的晶體
C.半導(dǎo)體可以通過摻雜工藝制成N 型半導(dǎo)體和P 型半導(dǎo)體
D.半導(dǎo)體具有熱敏性、光敏性和特殊的摻雜特性