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【簡答題】氮化硅在IC芯片上的用途
答案:
1、硅局部氧化形成過程中,作為阻擋氧氣擴(kuò)散的遮蔽層。
2、作為化學(xué)拋光的遮擋層。
3、用于形成側(cè)壁空...
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【簡答題】影響擴(kuò)散工藝中雜質(zhì)分布的因素
答案:
1、時間與溫度,恒定表面源主要是時間。
2、硅晶體中存在其他類型的點缺陷
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問答題
【簡答題】簡述柵氧化層生長的典型干法氧化工藝流程
答案:
1、850度閑置狀態(tài)通入吹除凈化氮氣。
2、通入工藝氮氣充滿爐管。
3、將石英或碳化硅晶圓載舟緩慢推...
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