問答題

【簡答題】簡述非晶硅的特性。

答案: (1)在可見光譜區(qū)域內(nèi)具有高的光吸收系數(shù)和光電導(dǎo)特性;
(2)非晶硅薄膜的沉積生長溫度低(180-250℃),...
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問答題

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問答題

【簡答題】簡述砷化鎵單晶的主要制備方法。

答案: 一種是在石英管密封系統(tǒng)中裝有砷源,通過調(diào)節(jié)砷源溫度來控制系統(tǒng)中的砷壓。這種方法包括水平舟區(qū)熔法、定向結(jié)晶法、溫度梯度法、...
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