<td id="iguhy"><tr id="iguhy"></tr></td><noscript id="iguhy"><abbr id="iguhy"></abbr></noscript>

^{<small id="iguhy"></small>}

問(wèn)答題

【計(jì)算題】
在離子晶體中，由于電中性的要求，肖特基缺陷都成對(duì)地產(chǎn)生。令n代表正負(fù)離子空位的對(duì)數(shù)，u是形成一對(duì)缺陷所需要的能量，N為整個(gè)離子晶體中正負(fù)離子對(duì)的數(shù)目，證明

答案：

你可能感興趣的試題

問(wèn)答題

【計(jì)算題】
離子晶體中，肖特基缺陷多成對(duì)產(chǎn)生。如n代表正負(fù)離子空位的數(shù)目，u₀代表產(chǎn)生一對(duì)缺陷所需要的能量，N代表晶體中原有正負(fù)離子對(duì)的數(shù)目，理論上可推出式中，γ和B分別是與原子的振動(dòng)頻率的改變和缺陷激活能隨體積變化有關(guān)的參量。設(shè)試求T=300K和T=1000K時(shí)由于有肖特基缺陷后體積的相對(duì)變化ΔV/V。

答案：

問(wèn)答題

【計(jì)算題】已知在鈉中形成一個(gè)肖特基缺陷的能量為1eV，問(wèn)溫度從T=290K升到T=1000K時(shí)，肖特基缺陷增大多少倍？

答案：