多項(xiàng)選擇題

關(guān)于DDR2的布局布線要求，下列說法正確的是（）。

A.VTT島盡可能放置在最后一個(gè)DDR2存儲器附近
B.Vref走線寬度>25mil，原則上每個(gè)Vref管腳都要一個(gè)去耦電容
C.每對DQS線（即DQS+與DQS-）之間線長的誤差范圍為10mil
D.BA、ADR、ODT、CKE、CS、CAS、RAS、WE與CLK之間走線長度誤差控制在50mil以內(nèi)

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多項(xiàng)選擇題

DDR2的控制總線包括哪些？（）

A.Add、BA
B.CK、CKE
C.RAS、CAS
D.CS、WE

多項(xiàng)選擇題

關(guān)于DDR2的供電電源，下列說法正確的是（）。

A.DDR2的IO供電電源是1.8V
B.每個(gè)IO電源管腳配備退耦電容
C.DDR2的VTT電源電壓是1.8V
D.VTT電源的端接電阻端可以不需要配備退耦電容

關(guān)于DDR2的布局布線要求，下列說法正確的是（）。

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DDR2的控制總線包括哪些？（）

關(guān)于DDR2的供電電源，下列說法正確的是（）。

關(guān)于DDR2的布局布線要求，下列說法正確的是（）。

DDR2的控制總線包括哪些？（）

關(guān)于DDR2的供電電源，下列說法正確的是（）。