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電路如圖所示，已知FET的I_DSS=3mA、U_P=－3V、U_（BR）DS=10V。試問在下列三種條件下，F(xiàn)ET各處于哪種狀態(tài)？（1）R_d=3.9kΩ；（2）R_d=10kΩ；（3）R_d=1kΩ。

放大電路如圖所示，已知場效應(yīng)管的I_DSS=1.6mA，U_p=-4V，r_ds忽略不計(jì)，若要求場效應(yīng)管靜態(tài)時(shí)的U_GSQ=-1V，各電容均足夠大。試求：（1）R_g1的阻值；（2）、R_i及R_o的值。