多項選擇題

關(guān)于DDR3的電源設(shè)計要求，下列說法正確的是（）。

A.VTT電源孤島盡可能靠近內(nèi)存顆粒以及終端調(diào)節(jié)模塊放置
B.終端調(diào)節(jié)模塊的Sense引腳走線需要從VTT電源孤島的中間引出
C.加大Vref的走線寬度并且將Vref的走線與其它走線隔離，降低Vref上的噪聲
D.以上說法都不對

你可能感興趣的試題

多項選擇題

關(guān)于DDR3的PCB布局布線要求，下列說法正確的是（）。

A.采用T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)上拉電阻放在T點處，上拉電阻的走線長度要小于500mil
B.采用FLY-BY拓?fù)渖侠娮璺旁谧詈笠黄珼DR3芯片的后端，上拉電阻的走線長度要小于500mil
C.當(dāng)DDR3芯片所需的電流超過電源走線的通流能力，會因驅(qū)動能力不足導(dǎo)致對信號處的錯誤處理
D.DDR3布線減少過孔的數(shù)量是為了避免過孔的寄生電容和電感對信號質(zhì)量的影響

多項選擇題

關(guān)于DDR3的新特性，下列說法正確的是（）。

A.Reset提供了超省電功能的命令，可以讓DDR3電路停止運(yùn)作、進(jìn)入超省電待命模式
B.ZQ則是一個新增的終端電阻校準(zhǔn)功能，用來校準(zhǔn)ODT（OnDieTermination）內(nèi)部終端電阻
C.PASR信號是局部Bank刷新的功能，針對整個內(nèi)存Bank做更有效的資料讀寫以達(dá)到省電功效
D.在DDR3系統(tǒng)中，Vref分可為兩個信號即VREFCA和VREFDQ，有效地提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的信噪等級

關(guān)于DDR3的電源設(shè)計要求，下列說法正確的是（）。

你可能感興趣的試題

關(guān)于DDR3的PCB布局布線要求，下列說法正確的是（）。

關(guān)于DDR3的新特性，下列說法正確的是（）。

關(guān)于DDR3的電源設(shè)計要求，下列說法正確的是（）。

關(guān)于DDR3的PCB布局布線要求，下列說法正確的是（）。

關(guān)于DDR3的新特性，下列說法正確的是（）。