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理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
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處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對漏源電流的控制作用。
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實際的MOS管,絕緣層相當(dāng)于一個電阻無限大的絕緣體,其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
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