單項(xiàng)選擇題

NEMOSFET飽和區(qū)的工作條件為u_GS（）V_t，u_DS（）u_GS-V_t。

A.〉，〈
B.〉，〉
C.〈，〈
D.〈，〉

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單項(xiàng)選擇題

?MOSFET中的導(dǎo)電溝道是指其（）?

A.金屬層
B.耗盡層
C.反型層
D.氧化層

?齊納二極管只能用作穩(wěn)壓用途。?

答案：錯(cuò)誤