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填空題
CMOS工藝中，阱注入的計(jì)量為（）量級(jí)；源、漏注入的劑量為（）量級(jí)；開(kāi)啟調(diào)整的注入劑量為（）量級(jí) ；場(chǎng)注入的的劑量為（）量級(jí)；離子束合成SOI材料SIMOX的O+注入計(jì)量為（）量級(jí)。
答案：
1012/cm2；1015/cm2；1011/cm2；1013/cm2；1018/cm2
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填空題
淺結(jié)制備的常用方法是：（）、（）加（）。而（）型淺結(jié)比（）型淺結(jié)更難制備。P型淺結(jié)常用（）、（）、（）來(lái)獲得。
答案：
降低注入離子能量；分子離子注入；快速熱退火；P；n；BF2+離子替代B+注入；降低B+注入能量；硅注入表面預(yù)非晶化
