問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】GTR、P-MOSFET、IGBT使用中，電流定額選擇中各要注意什么？

答案： GTR有二次擊穿現(xiàn)象以及其安全工作區(qū)受各項(xiàng)參數(shù)影響而變化和熱容量小、過(guò)流能力低等問(wèn)題。功率MOSFFT是一種電壓驅(qū)動(dòng)器件...

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問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】試說(shuō)明絕緣柵雙極型晶體管驅(qū)動(dòng)電路與大功率晶體管及功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管驅(qū)動(dòng)電路的異同點(diǎn)。

答案：不同：
1.GTR為電流型控制器件，因此驅(qū)動(dòng)電路的電流要足夠大，MOSFET以及IGBT是電壓型控制器件，只要...

問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】
下圖中①～⑨各保護(hù)元件及VDF、Ld的名稱及作用。

答案：（1）交流進(jìn)線電抗器：限流、限du/dt和di/dt。
（2）壓敏電阻：過(guò)壓保護(hù)。
（3）交流側(cè)阻容...